 |
Герберт КрёмерНемецкий физик, лауреат Нобелевской премии по физике. Половина премии за 2000 г., совместно с Жоресом Алфёровым.
Дата рождения: 25.08.1928
Страна:  Германия |
Содержание:
Биография Герберта Крёмера
Герберт Крёмер (нем. Herbert Krömer 25 августа 1928, Веймар) - немецкий физик, лауреат Нобелевской премии по физике. Половина премии за 2000 г., совместно с Жоресом Алфёровым, «за разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокочастотной и опто-электронике». Вторая половина премии была присуждена Джеку Килби «за вклад в изобретение интегральных схем».
Образование и карьера
После окончания курсов подготовки к университету (Abitur), Герберт Крёмер приступает к изучению физики в Университете Йены, где помимо прочего посещал лекции Фридриха Гунда. Во время действия блокады Берлина Крёмер находился на практике в Берлине и воспользовался возможностью для побега на запад. После этого он продолжил обучение в Гёттингенском университете. В 1952 г. он защитил диссертацию в области теоретической физики по теме эффекта горячих электронов в транзисторах.
После этого Крёмер работал в качестве "прикладного теоретика", как он сам себя называл, в техническом центре радиовещания немецкой федеральной почты. В 1954 г. он переехал в США и работал там в различных исследовательских учреждениях в Принстоне и Пало Альто. С 1968 по 1976 Крёмер преподаёт в университете Колорадо в качестве профессора, а затем перешёл в калифорнийский университет в Санта Барбаре.
Научные достижения
Герберт Крёмер никогда не работал в "модных" областях физики. Он предпочитал области, значение которых становилось ясным только спустя много лет. Например, он опубликовал в 1950-х годах работы об основах биполярного транзистора на основе гетероструктур, который мог работать в гигагерцовом диапазоне частот. В 1963 г. он разработал принципы лазеров на двойных гетероструктурах - основе полупроводниковых лазеров. Обе этих работы на много лет опередили своё время, и нашли применение только в 1980-х годах, с развитием эпитаксии.
Во время пребывания в Санта Барбаре он сместил свои интересы в экспериментальную область. Например, в 1970-е годы Крёмер участвовал в разработке молекулярной эпитаксии, причём он изучал новые комбинации материалов, такие как GaP и GaAs на кремниевой подложке. После 1985 г. интересы Крёмера сместились к комбинациям InAs, GaSb и AlSb.
Награды и признание
Герберт Крёмер был награжден рядом престижных наград и отличий за свои научные достижения. В числе них:
- Награда имени Дж.Дж. Эберс, от IEEE, 1973
- Медаль имени Генриха Велкера от международного симпозиума по GaAs и похожим соединениям, 1982
- Заслуженный лектор от общества электронных устройств IEEE , 1983
- Награда Джэка Мортона от IEEE, 1986
- Исследовательская премия имени Александра фон Гумбольдта, 1994
- Нобелевская премия по физике, 2000 (совместно с Жоресом Алфёровым и Джеком Килби)
