Владимир Бахрушин

Владимир Евгеньевич Бахрушин является автором 3 монографий, 8 учебников и учебных пособий, 10 изобретений, более 110 статей в ведущих научных изданиях. В 2007 г. он награжден Почетным знаком Министерства образования и науки Украины "За научные достижения". В.Е. Бахрушин ведет активную научно-организационную работу, являясь членом редколлегий 3 научных журналов, членом программных и организационных комитетов, а также приглашенным докладчиком ряда международных и всеукраинских научных конференций.В 1983 г. закончил Московский институт стали и сплавов, а в 1986 г. — аспирантуру МИСиС. В 1988 г. защитил кандидатскую диссертацию на тему "Взаимодействие и диффузия примесей внедрения в сплавах на основе ниобия". В 1980 – 1986 г. на кафедре высокотемпературных материалов Московского института стали и сплавов исследовал влияние комплексного легирования и высокотемпературных обработок на внутреннее трение, динамические модули упругости и другие физические свойства сплавов внедрения на основе ниобия. В частности, В.Е Бахрушиным были определены закономерности распределения кислорода и азота в сплавах, быстроохлажденных от предплавильных температур, построена модель диффузии примесей внедрения в сплавах. Также были определены характер и механизм влияния легирующих элементов на кинетику взаимодействия азота со сплавами ниобия при высоких температурах.43 Метод последовательных уступок В 1987 -1990 г. работал инженером Центральной научно-исследовательской лаборатории полупроводников Запорожского титано-магниевого комбината. В этот период В.Е. Бахрушиным был разработан ряд новых типов кремниевых эпитаксиальных структур (в том числе многослойных и структур с переменным уровнем легирования эпитаксиального слоя) и технологий их получения. Было показано, что механизм автолегирования слаболегированных автоэпитаксиальных слоев кремния, получаемых методами водородного восстановления тетрахлорида кримния, трихлорсилана и дихлорсилана, включает сублимацию соединений легирующего элемента из подложки с последующим их встраиванием в растущий слой; установлено формирование донорных центров при высокотемпературных отжигах слаболегированных монокристаллов и эпитаксиальных слоев кремния в водороде и определены закономерности кинетики их накопления.В 1990 — 2000 г. работал на физическом факультете Запорожского государственного университета.Здесь В.Е Бахрушин разработал и читал курсы компьютерного моделирования физических процессов, механики, методов физических исследований, физических основ материаловедения и др. Основные исследования В.Е Бахрушина в этот период были связаны с компьютерным моделированием процессов формирования и физических свойств слаболегированных кристаллов. В.Е. Бахрушиным было введено понятие области идеальности твердого раствора. Такая концентрационная область ограничена слева вследствие взаимодействия атомов легирующего элемента с фоновыми примесями и дефектами, а справа - вследствие их взаимодействия между собой. Определены условия формирования таких областей, а также условия, при которых твердый раствор является неидеальным при любых концентрациях. Были установлены основные закономерности формирования прослоек с проводимостью противоположного типа в переходной области n+-n и p+-p кремниевых и германиевых композиций, обусловленные присутствием фоновых примесей противоположного типа в объеме или на поверхности сильнолегированного слоя. Показано, что ступеньки сдвига и линии скольжения в кремниевых эпитаксиальных структурах могут быть не тождественными дефектами. Их формирование происходит на начальной стадии осаждения эпитаксиального слоя и включает не только процессы зарождения и скольжения, но также и процессы аннигиляции дислокаций. Предложена кристаллографическая классификация этих дефектов, основанная на их различной ориентации относительно поверхности подложки. Установлены закономерности влияния параметров процесса на эффективность геттерирования быстродиффундирующих примесей в полупроводниковых композициях. В частности, показано существование оптимальной температуры этого процесса. При понижении температуры эффективность ге

ттерирования снижается из-за уменьшения эффективной толщины геттерирующего слоя, а при повышении - вследствие стремления примеси к более равномерному распределению по всему объему композиции. В 1999 г. В.Е Бахрушин защитил в Харьковском университете докторскую диссертацию на тему "Формирование примесно-дефектной подсистемы и физические свойства слаболегированных монокристаллов и монокристаллических слоев многослойных композиций".