Александр Орликовский Советский и российский физик Дата рождения: 12.06.1938 Гражданство: Россия

Содержание:

1. Образование и ранние годы
2. 1963-1966: Аспирант Московского института электронного машиностроения
3. 1985-1988: Заведующий лаборатории Института общей физики (ИОФАН)
4. Научные достижения
5. Создание СВЧ и ВЧ источников высокооднородных потоков плотной плазмы.

Образование и ранние годы

Выпускник Московского инженерно-физического института 1961 года.
Институтские годы

1961-1963: Работа в Союзном научно-исследовательском институте приборостроения

1963-1966: Аспирант Московского института электронного машиностроения

Преподавательская и научная деятельность

1969-1984: Старший преподаватель, доцент, профессор кафедры интегральных полупроводниковых схем Московского института электронной техники

1981-1985: Старший научный сотрудник Физического института им. П. Н. Лебедева (ФИАН)

1985-1988: Заведующий лаборатории Института общей физики (ИОФАН)

Руководство Физико-технологическим институтом
С 1988: Лаборатория Физико-технологического института (ФТИАН)
2001-2005: Заместитель директора ФТИАН по научной работе
С 2005: Директор ФТИАН
Членство в научных организациях
Член-корреспондент РАН (2000)

Академик РАН (2006) по Отделению нанотехнологий и информационных технологий

Научные достижения

Пионерские работы по полупроводниковым интегральным схемам памяти.

Разработка плазменных процессов в технологии кремниевой наноэлектроники.

Создание СВЧ и ВЧ источников высокооднородных потоков плотной плазмы.

Разработка новых технологий силидизации контактов к мелкозалегающим p-n переходам.

Разработка физической модели баллистических нанотранзисторов с учетом квантовых эффектов.