![]() |
Всеволод ГантмахерРоссийский физик
Дата рождения: 08.10.1935
Гражданство: Россия |
- Ранние годы и образование
- Научная карьера
- Институт физики твердого тела АН СССР
- Преподавательская деятельность
- Главный редактор журнала "Письма в ЖЭТФ"
- Избрание в РАН
- Научные достижения
- Награды и почести
- Смерть и наследие
Ранние годы и образование
Всеволод Феликсович Гантмахер родился в семье математика Феликса Рувимовича Гантмахера и Аси Евсеевны Лернер. В 1959 году он с отличием окончил радиофизический факультет Московского физико-технического института.
Научная карьера
Институт физических проблем АН СССРЕще будучи студентом, в 1957 году Гантмахер начал работать в Институте физических проблем Академии наук СССР (ИФП АН СССР). В 1964 году он защитил кандидатскую диссертацию и стал штатным сотрудником института.
Институт физики твердого тела АН СССР
В том же 1964 году Гантмахер перешел в Институт физики твердого тела АН СССР в Черноголовке, продолжая научную деятельность в ИФП АН СССР. В 1967 году он защитил докторскую диссертацию на тему "Размерные эффекты в металлах".
Преподавательская деятельность
Наряду с научными исследованиями Гантмахер занимался преподавательской деятельностью. С 1964 года он преподавал в Московском физико-техническом институте, а с 2000 года - в Московском государственном университете.
Главный редактор журнала "Письма в ЖЭТФ"
С 1990 года Гантмахер был главным редактором журнала "Письма в ЖЭТФ" - одного из ведущих российских физических журналов.
Избрание в РАН
В 1997 году Гантмахер был избран членом-корреспондентом Российской академии наук (РАН). В 2011 году он стал академиком РАН.
Научные достижения
Гантмахер внес значительный вклад в различные области физики, в том числе:
Радиочастотный размерный эффект- открытие принципиально нового типа проникновения электромагнитных волн в металлы в магнитном поле.
Рассеяние носителей тока- изучение и измерение вероятностей электрон-фононного рассеяния в различных металлах и полупроводниках.
Магнитопримесные осцилляции- обнаружение нового типа осцилляций электрических свойств в магнитном поле в фотовозбужденных полупроводниках.
Высокорезистивные металлические сплавы и сверхпроводники- исследование транспортных свойств этих материалов и доказательство существования локализованных пар на диэлектрической стороне перехода сверхпроводник-диэлектрик.
Награды и почести
В 2009 году Гантмахер был удостоен Золотой медали имени П. Л. Капицы за цикл работ "Коллективные явления в электронных системах при низких температурах".
Смерть и наследие
Всеволод Гантмахер скончался и был похоронен на Донском кладбище. Он оставил после себя богатое научное наследие и множество учеников. В память о нем на здании ИФП РАН в Черноголовке установлена мемориальная доска.